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昨夜，全球三大存储巨头之一(yi)的美光科(ke)技发(fa)布2024第二财季（2023年12月，2024年1-2月）的业绩表现，截至北京时间(jian)16点，按照盘前的表现来看，美光的业绩表现再度刷新了市场的预期。
其中业绩最大的亮点莫过(guo)于(yu)，在原本(ben)还要承受一(yi)个季度的亏损的指引下，美光利润竟然(ran)奇(qi)迹般的扭亏为盈。
美光营收同比猛增58%，至58.2亿美元，NON-GAAP基准下的每股收益为42美分，相比营收预期约为53.5亿美元，每股亏损24美分的市场预期，可谓全面碾压。
要知道去年同期，美光创下二十年来单季度的最大亏损。营收同比下降53%，亏损23.1亿美元，其中包(bao)括14亿美元的库(ku)存损失，每股亏损2.12美元。
仅过(guo)一(yi)年，美光就从泥沼中爬起来了。作(zuo)为算力三大要素之一(yi)（计算、存储、网络通信），AI对于(yu)存储芯片的需求可能比我(wo)们预期的还要乐观。AI的发(fa)展正在逐渐影响上(shang)游芯片端的供需，并且加速库(ku)存出(chu)清，迎来价量反转的上(shang)升周期。
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从市场份额来看，目(mu)前全球NAND Flash市场以三星、SK海力士、铠侠、美光、西(xi)部数据5家厂商为主，全球DRAM市场由三星、SK海力士、美光三分天下。
新一(yi)轮AI革命对存力的巨大需求是美光的业绩助推器(qi)。公司CEO指出(chu)，为了支持人工智能软件的开发(fa)，数据中心对昂贵内存的需求变得强劲，美光已经卖(mai)完了公司在2024年可以制造的所有HBM。
HBM是一(yi)款(kuan)新型的CPU/GPU 内存芯片，是将很多个DDR芯片堆(dui)叠在一(yi)起后和(he)GPU封装在一(yi)起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。
在最近一(yi)个季度，美光首(shou)次从其新品HBM3E中获得收入，供给英伟达的AI芯片H200 Tensor Core GPU。作(zuo)为英伟达算力链的重要参与者，股价目(mu)前同样处(chu)于(yu)历史新高区域。
HBM正逐渐成为存储行(xing)业巨头实现业绩反转的舵(duo)手。
最先实现反转的是SK海力士，去年公司三季度依(yi)然(ran)保持亏损，但其核心业务——DRAM已经扭亏为盈，连公司自己在财报里都感到有点不可思议：去年第一(yi)季度由盈转亏的DRAM仅在两个季度后扭亏为盈。
SK海力士解(jie)释，主要是高性能存储芯片的市场需求增加，比如面向AI的代表性存储器(qi)HBM3、高容量DDR5 DRAM和(he)高性能移(yi)动DRAM等主力产品销售情(qing)况(kuang)出(chu)色，公司业绩在第一(yi)季度与上(shang)季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。
目(mu)前AI带来的热(re)潮还远没有停下来的意思，而HBM更(geng)是供不应求。美光公司已经开始大规(gui)模生产并从HBM3E产品中获得收入，客(ke)户反馈(kui)显示(shi)，与竞争(zheng)对手的解(jie)决方(fang)案(an)相比，HBM3E产品的功(gong)耗降低了30%。今年HBM产能已销售一(yi)空、2025年绝大多数产能已被(bei)预订。
美光预计，整个2024财年，HBM产品将带来“数亿美元”的收入，并且从第三财季开始，HBM收入将对DRAM和(he)整体(ti)毛利率产生积极影响。
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从周期角度来看，上(shang)一(yi)轮存储芯片大概在2021年2-3季度见顶(ding)回落，经历了两年左右的下行(xing)周期，DRAM和(he)NAND的现货价格从去年9月以来触底回升，从去年10月到今年2月，部分现货价格反弹幅度达到20%以上(shang)。
美光财报中也提及到价格复苏(su)的趋势，尽(jin)管平均出(chu)货量依(yi)旧(jiu)受到PC、手机、常规(gui)数据中心拖累，但平均售价环(huan)比已经积累了十几个点以上(shang)的提升。
由于(yu)大多数终(zhong)端市场的需求复苏(su)，美光预期2024年DRAM、NAND产业供给都将低于(yu)需求。在整个2024年，DRAM和(he)NAND的价格将进一(yi)步上(shang)涨。
去年下行(xing)周期还没结束前，几大存储巨头被(bei)动减产，调整开支计划。比如美光2023年的资本(ben)开支同比减少42%，并宣布进一(yi)步减产30%至2024年。所以减产后续将会对行(xing)业的供需进行(xing)影响；
另一(yi)方(fang)面，随(sui)着各个应用市场逐渐复苏(su)，进一(yi)步增加对芯片库(ku)存的消耗。去年四季度，全球智能手机出(chu)货量同比增长8%，PC出(chu)货量同比增3%，更(geng)何况(kuang)这(zhe)些(xie)应用场景今年都有AI的加持，自然(ran)需要容量更(geng)大的内存芯片。供给、需求、库(ku)存、价格等方(fang)面预示(shi)着，存储芯片周期或(huo)即将开启(qi)上(shang)升周期了。
AI除了激活某类特定内存芯片的需求，实际上(shang)也有作(zuo)用于(yu)整个芯片供需的外溢作(zuo)用。AI服务器(qi)不断增长的需求推动了HBM、DDR5和(he)固态硬盘的增长，同时挤占了DRAM的供给，使得对其他(ta)应用场景里供应能力相对下滑(hua)，这(zhe)对所有内存和(he)存储终(zhong)端市场的定价都产生了影响。
比较早的信号(hao)发(fa)生在去年12月7日，西(xi)部数据向客(ke)户发(fa)出(chu)涨价通知信，强调未来几季NAND芯片产品价格将呈现周期性上(shang)涨，预期累计涨幅高达55%。
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虽然(ran)下游需求已经露出(chu)了复苏(su)迹象，美光依(yi)然(ran)保持谨慎，资本(ben)开支在2023年的基础上(shang)（70亿美元）仅增加了5-10亿。
同时对第三财季给了业绩预期，在Q2基础上(shang)给了投资者很大的信心，并预计2025财年的收入将创历史新高。
可以看出(chu)，美光对于(yu)下游需求复苏(su)和(he)周期节奏是比较有把握(wo)的。业绩和(he)估值(zhi)的高度，最后还是要看回周期和(he)下游需求。
周期轮动，把上(shang)个周期亏掉的钱赚回来；隶属于(yu)DRAM的HBM需求尤其强劲，与英伟达AI GPU绑定的HBM需求已经在美光目(mu)前的股价上(shang)验证过(guo)了。而一(yi)旦下游某个需求超预期复苏(su)，芯片价格还有可能加速上(shang)涨。
HBM对于(yu)这(zhe)轮周期是锦上(shang)添(tian)花，美光说今年把能卖(mai)的HBM已经卖(mai)完了，盈利上(shang)限，或(huo)许最终(zhong)取决于(yu)这(zhe)轮周期复苏(su)的力度。如果(guo)一(yi)个公司盈利在早期上(shang)修通道，用静态估值(zhi)的理由去空是非常危(wei)险的，有可能最后出(chu)现的情(qing)况(kuang)是，越涨越便宜。（全文完）
