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昨夜(ye)，全球三大存储巨头之一的(de)美光科技公布2024第二财季（2023年12月，2024年1-2月）的(de)业绩(ji)表现，截至北京时候16点(dian)，按照盘前的(de)表现来看，美光的(de)业绩(ji)表现再(zai)度革新了市(shi)场(chang)的(de)预期(qi)。
个中业绩(ji)最大的(de)亮点(dian)莫过于，正在原本还要承(cheng)受一个季度的(de)亏损的(de)指(zhi)引下，美光利润(run)竟(jing)然(ran)奇迹般的(de)扭亏为盈。
美光营收同比(bi)猛增58%，至58.2亿美元，NON-GAAP基准下的(de)每股收益为42美分，相比(bi)营收预期(qi)约为53.5亿美元，每股亏损24美分的(de)市(shi)场(chang)预期(qi)，可谓全面(mian)碾(nian)压。
要晓得去年同期(qi)，美光创下二十年来单季度的(de)最大亏损。营收同比(bi)下落53%，亏损23.1亿美元，个中包括(kuo)14亿美元的(de)库存损失，每股亏损2.12美元。
仅过一年，美光就从泥沼中爬起来了。作(zuo)为算力三概略素之一（计算、存储、网络通信），AI对于存储芯片的(de)需求(qiu)可能比(bi)我们预期(qi)的(de)还要乐观。AI的(de)发展正正在逐渐影(ying)响上游芯片端的(de)供需，并且加速库存出清，迎来价量反转(zhuan)的(de)上升周期(qi)。
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从市(shi)场(chang)份额来看，现在全球NAND Flash市(shi)场(chang)以三星、SK海力士、铠侠、美光、西部数据5家(jia)厂(chang)商为主，全球DRAM市(shi)场(chang)由(you)三星、SK海力士、美光三分世(shi)界。
新一轮AI革命对存力的(de)巨大需求(qiu)是美光的(de)业绩(ji)助推器。公司(si)CEO指(zhi)出，为了支(zhi)持人工智能软件的(de)开发，数据中心对高贵(gui)内存的(de)需求(qiu)变得强劲，美光已经卖完了公司(si)正在2024年可以制作(zuo)的(de)所有HBM。
HBM是一款新型的(de)CPU/GPU 内存芯片，是将很(hen)多个DDR芯片堆叠正在一起后和GPU封装正在一起，实现大容量、高位宽的(de)DDR组合阵(zhen)列。HBM能够实现大模型时代的(de)高算力、大存储的(de)现实需求(qiu)。
正在近来一个季度，美光首次从其(qi)新品HBM3E中得到支(zhi)出，供给英伟达的(de)AI芯片H200 Tensor Core GPU。作(zuo)为英伟达算力链的(de)重(zhong)要参与者，股价现在同样处于汗青新高地区。
HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩(ji)反转(zhuan)的(de)舵手。
最先(xian)实现反转(zhuan)的(de)是SK海力士，去年公司(si)三季度依旧保持亏损，但其(qi)核心业务——DRAM已经扭亏为盈，连公司(si)自己正在财报(bao)里都感到有点(dian)不(bu)可思议(yi)：去年第一季度由(you)盈转(zhuan)亏的(de)DRAM仅正在两个季度后扭亏为盈。
SK海力士解释，首要是高功能存储芯片的(de)市(shi)场(chang)需求(qiu)添加，好比(bi)面(mian)向AI的(de)代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高功能移动DRAM等主力产品销售(shou)情况出色，公司(si)业绩(ji)正在第一季度与上季度相比(bi)营业支(zhi)出增长24%，营业损失减少38%。
现在AI带来的(de)热潮还远没有停下来的(de)意思，而HBM更是求(qiu)过于供。美光公司(si)已经开始大规模生产并从HBM3E产品中得到支(zhi)出，客户反应显示(shi)，与合作(zuo)敌手的(de)解决方案相比(bi)，HBM3E产品的(de)功耗降低了30%。今年HBM产能已销售(shou)一空(kong)、2025年绝大多数产能已被预订。
美光预计，整个2024财年，HBM产品将带来“数亿美元”的(de)支(zhi)出，并且从第三财季开始，HBM支(zhi)出将对DRAM和整体毛(mao)利率产生积(ji)极影(ying)响。
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从周期(qi)角度来看，上一轮存储芯片大概正在2021年2-3季度见顶回落，经历了两年左右的(de)下行周期(qi)，DRAM和NAND的(de)现货价格从去年9月以来触底回升，从去年10月到今年2月，部份现货价格反弹幅度到达20%以上。
美光财报(bao)中也说起到价格复苏的(de)趋势(shi)，尽(jin)管平均出货量依旧受到PC、手机、常规数据中心拖累，但平均售(shou)价环比(bi)已经积(ji)累了十几(ji)个点(dian)以上的(de)提拔。
由(you)于大多数终端市(shi)场(chang)的(de)需求(qiu)复苏，美光预期(qi)2024年DRAM、NAND产业供给都将低于需求(qiu)。正在整个2024年，DRAM和NAND的(de)价格将进一步上涨。
去年下行周期(qi)还没竣事前，几(ji)大存储巨头被动减产，调整开支(zhi)计划。好比(bi)美光2023年的(de)资本开支(zhi)同比(bi)减少42%，并宣布进一步减产30%至2024年。所以减产后续将会对行业的(de)供需举行影(ying)响；
另一方面(mian)，随着各个应用市(shi)场(chang)逐渐复苏，进一步添加对芯片库存的(de)消耗。去年四季度，全球智能手机出货量同比(bi)增长8%，PC出货量同比(bi)增3%，更况且这些应用场(chang)景(jing)今年都有AI的(de)加持，自然(ran)需要容量更大的(de)内存芯片。供给、需求(qiu)、库存、价格等方面(mian)预示(shi)着，存储芯片周期(qi)或即将开启上升周期(qi)了。
AI除了激(ji)活某类特定(ding)内存芯片的(de)需求(qiu)，实际(ji)上也有感化于整个芯片供需的(de)外溢感化。AI服务器赓续增长的(de)需求(qiu)推动了HBM、DDR5和固态硬盘的(de)增长，同时挤占了DRAM的(de)供给，使得对其(qi)他应用场(chang)景(jing)里供应能力相对下滑(hua)，这对所有内存和存储终端市(shi)场(chang)的(de)订价都产生了影(ying)响。
对照早(zao)的(de)信号发生正在去年12月7日(ri)，西部数据向客户收回涨价通知信，强调未来几(ji)季NAND芯片产品价格将浮(fu)现周期(qi)性上涨，预期(qi)累计涨幅高达55%。
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虽然(ran)下游需求(qiu)已经露出了复苏迹象，美光依旧保持谨慎，资本开支(zhi)正在2023年的(de)基础(chu)上（70亿美元）仅添加了5-10亿。
同时对第三财季给了业绩(ji)预期(qi)，正在Q2基础(chu)上给了投资者很(hen)大的(de)信心，并预计2025财年的(de)支(zhi)出将创汗青新高。
可以看出，美光对于下游需求(qiu)复苏和周期(qi)节奏是对照有掌控的(de)。业绩(ji)和估值的(de)高度，最后还是要看回周期(qi)和下游需求(qiu)。
周期(qi)轮动，把上个周期(qi)亏掉的(de)钱赚(zuan)回来；隶属于DRAM的(de)HBM需求(qiu)尤其(qi)强劲，与英伟达AI GPU绑定(ding)的(de)HBM需求(qiu)已经正在美光现在的(de)股价上验证过了。而一旦下游某个需求(qiu)超预期(qi)复苏，芯片价格另有可能加速上涨。
HBM对于这轮周期(qi)是如虎添翼(yi)，美光说今年把能卖的(de)HBM已经卖完了，盈利上限，或许最终取(qu)决于这轮周期(qi)复苏的(de)力度。如果一个公司(si)盈利正在早(zao)期(qi)上修通道，用静态估值的(de)来由(you)去空(kong)是异(yi)常危(wei)险的(de)，有可能最后出现的(de)情况是，越(yue)涨越(yue)自制。（全文完）
